惠斯通電橋電路（現在用于測量支撐結構表面的應變）由查爾斯·惠斯通爵士于1843年改進和推廣，這是眾所周知的，但薄膜真空沉積在這個舊的久經考驗的電路中的應用還不是很好理解。薄膜濺射沉積工藝對行業來說并不是什么新鮮事。從制造復雜的微處理器到制造用于應變片的精密電阻器，許多應用都使用這種技術。對于應變片，直接濺射到受力基板上的薄膜應變片是一種選擇，可以消除“粘合應變片”（也稱為箔應變片，靜置應變片和硅應變片）面臨的許多問題。

FASB-5kg稱重傳感器Transcell稱重傳感器的過載保護是什么意思？

　　每個稱重傳感器都設計為以受控方式在負載下偏轉。工程師優化這種偏轉，以大限度地提高傳感器的靈敏度，同時確保結構在其“彈性”區域內運行。一旦負載被移除，隨其彈性區域偏轉的金屬結構將恢復到其初始狀態。超過此彈性區域的結構稱為“過載”。過載的傳感器經歷“塑性變形”，其中結構變形，不再返回其初始狀態。一旦塑性變形，傳感器將不再提供與所施加負載成比例的線性輸出。在大多數情況下，它是性和不可逆轉的損壞。“過載保護”是一種設計功能，它以機械方式將FASB-5kg稱重傳感器Transcell傳感器的總撓度限制在其臨界載荷限值以下，從而保護傳感器免受意外的高靜態或動態載荷的影響，否則這些載荷會導致塑性變形。